НТ-МДТ CaF2 на Si(111)

ССМ изображение эпитаксиально выращенной CaF₂ на Si(111). Размер скана 3.7x4.2 мкм.

Условия измерения

Дата 18-Янв-1997

Прибор P4-SPM-MDT (16 разрядный ЦАП, сканер 14мкм x 14мкм)

Мода ССМ контактная мода

Зонд Кантилевер Si₃N₄ с радиусом кривизны 20нм

Измерено Н.Соколовым, Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе, РАН, Санкт-Петербург, Россия.

Не опубликовано.