NT-MDT

ССМ изображение мостиковой наноструктуры, изготовленной с помощью электронно-лучевой литографией на базе монокристаллической, эпитаксиальной пленки вольфрама, выращенной лазерным распылением W-мишени на r-плоскости монокристаллической сапфировой пластины. Скан размером 5.5x8.1 мкм.

Условия измерения

Дата 13-Июл-1996

Прибор P4-SPM-MDT (16 разрядный ЦАП, сканер 20мкм x 20мкм)

Мода ССМ контактная мода

Зонд Кантилевер Si₃N₄ с радиусом кривизны 50нм

Измерено В.Жижимонтовым, Научно Исследовательский Институт Физических Проблем & НТ-МДТ, Москва, Россия.
Образец предоставлен Г.Михайловым, Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, Черноголовка, Россия.

Не опубликовано.